业内专家预测2026年Q3内存价格将环比上涨40%至50%
存储器行业顾问Ethan Tan向杰富瑞预测，2026年第三季度内存价格将环比上涨40%至50%，第四季度再涨30%至40%，涨幅远超华尔街此前预期。他指出，三星、SK海力士和美光主导全球DRAM与NAND闪存生产，人工智能数据中心需求持续超过总产能，导致内存价格四年内上涨700%，消费电子产品面临严重内存短缺。
存储器行业顾问、前三星中国高管Ethan Tan对杰富瑞股票研究分析师表示，预计2026年第三季度存储价格将比上一季度上涨40%至50%，第四季度还将再涨30%至40%。杰富瑞在一份报告中援引了这一预测，并指出该幅度远超西方投资者和杰富瑞内部研究团队此前的预期。
Tan通过计算得出，由于半导体节点技术的进步在2026年只会使供应量增加7%至8%，短缺状况将持续到明年，届时价格可能每年再上涨40%至45%。他同时预测，供应量的增加和人工智能需求的放缓，可能会在2028年使内存价格回落15%至20%。
三星、SK海力士和美光三家公司共同生产了全球几乎所有的DRAM和NAND闪存。由于数据中心的需求目前已超过这三家公司的总产能，价格在四年内上涨了700%。这些产品在人工智能数据中心的利润率远高于在消费类PC、智能手机或游戏机中的利润率，这也是导致消费电子产品面临内存不足的根本原因。消费级内存因此变得价格高昂，苹果、索尼和微软等公司已大幅提价。
Tan还指出，今明两年类似于长鑫存储等企业的供应仍将受到限制，主要因为其缺乏生产下一代芯片所需的先进制造技术，例如EUV光刻技术，这将限制中国厂商生产DDR6或HBM3E。不过他也表示，中国生产的DDR5内存已经可以满足消费级个人电脑的需求，预计到2028年，中国国产NAND闪存技术也将与全球其他地区的水平持平。
尽管制造商和行业分析师普遍将价格飙升归因于人工智能基础设施的需求，但加州一项新的诉讼指控主导DRAM和NAND生产的这三家公司合谋利用这种情况人为抬高价格。如果此案继续推进，这将是近30年来至少第三起内存价格操纵丑闻。三星、SK海力士、美光以及现已倒闭的英飞凌和尔必达的DRAM部门曾承认在1998年至2002年期间串谋操纵价格。2010年末内存价格飙升时，三家公司再次被怀疑操纵价格，但此案因证据不足在上诉中被驳回。目前尚不清楚加州的诉讼是否能提出充分的证据。
为什么重要内存价格走势直接影响三星、SK海力士、美光等芯片巨头的盈利预期，并波及苹果、微软等消费电子厂商的成本结构。