業內專家預測2026年Q3內存價格將環比上漲40%至50%
存儲器行業顧問Ethan Tan向傑富瑞預測，2026年第三季度內存價格將環比上漲40%至50%，第四季度再漲30%至40%，漲幅遠超華爾街此前預期。他指出，三星、SK海力士和美光主導全球DRAM與NAND閃存生產，人工智能數據中心需求持續超過總產能，導致內存價格四年內上漲700%，消費電子產品面臨嚴重內存短缺。
存儲器行業顧問、前三星中國高管Ethan Tan對傑富瑞股票研究分析師表示，預計2026年第三季度存儲價格將比上一季度上漲40%至50%，第四季度還將再漲30%至40%。傑富瑞在一份報告中援引了這一預測，並指出該幅度遠超西方投資者和傑富瑞內部研究團隊此前的預期。
Tan通過計算得出，由於半導體節點技術的進步在2026年只會使供應量增加7%至8%，短缺狀況將持續到明年，屆時價格可能每年再上漲40%至45%。他同時預測，供應量的增加和人工智能需求的放緩，可能會在2028年使內存價格回落15%至20%。
三星、SK海力士和美光三家公司共同生產了全球幾乎所有的DRAM和NAND閃存。由於數據中心的需求目前已超過這三家公司的總產能，價格在四年內上漲了700%。這些產品在人工智能數據中心的利潤率遠高於在消費類PC、智能手機或遊戲機中的利潤率，這也是導致消費電子產品面臨內存不足的根本原因。消費級內存因此變得價格高昂，蘋果、索尼和微軟等公司已大幅提價。
Tan還指出，今明兩年類似於長鑫存儲等企業的供應仍將受到限制，主要因為其缺乏生產下一代芯片所需的先進製造技術，例如EUV光刻技術，這將限制中國廠商生產DDR6或HBM3E。不過他也表示，中國生產的DDR5內存已經可以滿足消費級個人電腦的需求，預計到2028年，中國國產NAND閃存技術也將與全球其他地區的水平持平。
儘管製造商和行業分析師普遍將價格飆升歸因於人工智能基礎設施的需求，但加州一項新的訴訟指控主導DRAM和NAND生產的這三家公司合謀利用這種情況人為抬高價格。如果此案繼續推進，這將是近30年來至少第三起內存價格操縱醜聞。三星、SK海力士、美光以及現已倒閉的英飛凌和爾必達的DRAM部門曾承認在1998年至2002年期間串謀操縱價格。2010年末內存價格飆升時，三家公司再次被懷疑操縱價格，但此案因證據不足在上訴中被駁回。目前尚不清楚加州的訴訟是否能提出充分的證據。
為什麼重要內存價格走勢直接影響三星、SK海力士、美光等芯片巨頭的盈利預期，並波及蘋果、微軟等消費電子廠商的成本結構。