IBM發佈全球首款亞1納米芯片技術
IBM宣佈在半導體領域取得重大突破，推出全球首款“亞納米”芯片工藝技術。該技術採用“三維垂直堆疊”晶體管架構，推進至0.7納米節點，在指甲蓋大小的芯片上集成近1000億個晶體管，密度較其2021年的2納米芯片翻番。測試數據顯示，與2納米芯片相比，新架構預計可帶來最高50%的性能提升或降低70%的能耗，並使SRAM面積縮減40%。
IBM在半導體技術領域取得重大進展，發佈了全球首款“亞納米”芯片工藝技術。該技術採用革命性的“三維垂直堆疊”晶體管架構，將製程節點直接推進至0.7納米。
通過這種新型3D架構，IBM成功在指甲蓋大小的芯片上集成了近1000億個晶體管，晶體管密度較其2021年推出的2納米芯片翻了一番。根據測試數據，與2納米芯片相比，該技術預計將帶來最高50%的性能提升，或降低達70%的能耗。同時，SRAM的面積可縮減40%，這將為亟需高帶寬、低能耗的AI算力芯片注入強勁動力。
為什麼重要IBM在先進製程上的突破直接指向AI算力芯片的高帶寬、低能耗需求，可能影響半導體行業競爭格局。
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