存储芯片股剧烈震荡，美光单日重挫10%
存储芯片板块本周遭遇剧烈抛售，美光科技股价周三单日下跌10%，SK海力士ADR同步下跌9%，回吐前一交易日大部分涨幅。触发因素包括巴菲特对AI主题投机盛行的警告，以及广发香港因客户强烈抵制近30%的DRAM涨价而下调第三季度价格增长预测。尽管美光最新季度营收达415亿美元、净利润飙升近1400%，但供给扩张预期与需求端规格下调风险正侵蚀市场对高价格持续性的信心，板块内部分歧加剧。
存储芯片股本周遭遇剧烈震荡，多重利空信号叠加，令此前由AI需求驱动的涨势骤然承压。周三，美光科技股价单日重挫10%，SK海力士美国存托凭证同步下跌9%，将前一交易日的涨幅大幅回吐。触发此轮抛售的直接导火索，是巴菲特警告称AI主题投机盛行、市场已难觅真正价值，尽管他并未点名任何具体公司。
与此同时，广发香港在月度电话会议中下调了第三季度DRAM价格增长预测，理由是客户对接近30%的涨价幅度强烈抵制。这一表态与此前KeyBanc预计DRAM三季度涨价15%至20%的判断形成对比，显示需求端的议价能力正在对供给侧的定价预期形成制约。广发香港同时指出，普通服务器的DDR5规格预计将较此前下调约50%，DRAM供应商正在推进提供96GB或64GB的新款RDIMM及MRDIMM产品。
美光本周的走势堪称过山车。周一股价下跌4.3%，周二因KeyBanc将目标价上调至1750美元、预计存储短缺将延续至2027年而反弹4.7%，盘中一度触及994.80美元；周三巴菲特的表态令市场情绪急转直下，股价一度跌至约865美元附近，市值回落至约1.05万亿美元。一位市场观察人士指出，SK海力士上周在纳斯达克上市后的行情正是这种投机心态的缩影：投资者起初因公司CEO表示客户支出已向存储产品转移而大举买入，随后又因担忧扩产计划将压低行业定价而迅速抛售。
尽管DRAM前景趋于谨慎，广发香港对NAND闪存的态度却明显转向乐观。该机构指出，KV缓存卸载的需求持续超出预期，同时市场出现了以NAND替代昂贵DRAM的新兴趋势，两者共同支撑NAND需求。KeyBanc分析师则维持对整体存储市场的积极判断，预计NAND三季度涨价30%至40%，四季度再涨15%；HBM价格明年有望翻倍以上。美光是英伟达AI处理器的HBM供应商之一，这一定位使其深度嵌入AI硬件供应链。
SK海力士ADR周三下跌9%至176.46美元，而其韩国本地股同日收涨8.8%，两者走势明显背离。在周二大涨27%之后，SK海力士ADR的远期市盈率已升至约6.2倍，与美光的估值水平趋近。目前SK海力士ADR相对韩国本地股的溢价一度超过50%。韩国证券存托机构预计将于7月29日开放本地股与ADR之间的双向转换，届时这一溢价空间可能显著收窄。
尽管短期情绪波动剧烈，美光的基本面数据依然亮眼。该公司最新财季营收达415亿美元，同比增长346%；净利润飙升近1400%至282亿美元；调整后每股收益25.11美元。美光已与16家战略客户签订总额220亿美元的存储芯片供应承诺协议，协议包含照付不议条款、现金押金及价格下限。然而，存储行业的周期性风险始终悬而未决。美光今年资本支出约270亿美元，SK海力士与三星电子同样在大规模扩产。一旦供给追上需求，当前的定价权将面临严峻考验。
为什么重要存储芯片是AI硬件供应链的关键环节，美光与SK海力士股价剧烈波动反映了市场对AI驱动需求持续性与定价权的重新评估。