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科技 个股 关税长鑫存储技术突破引发全球存储芯片股下跌

中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)上周末宣布在新架构上取得进展,可将更多数据压缩进更小空间、提升存储密度。消息引发全球存储芯片股走低:美光盘前跌3.7%,SK海力士韩股收跌10%,三星电子跌7.4%,闪迪、希捷、西部数据等亦下跌。长鑫存储7月登陆科创板,首日大涨近466%,目前市值约3.46万亿元人民币。

来源 CNBC 2026-10-13 阅读原文 →

中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)上周末宣布,其在新架构研发上取得进展,新设计可通过在更小空间内封装更多数据来提升存储密度。这一消息在周二引发全球存储芯片股走低。长鑫存储是中国对标美光、SK海力士和三星等全球存储厂商的主要竞争者,且在近期一次重磅IPO之前,它在海外市场鲜为人知。

个股方面,美光盘前下跌3.7%,SK海力士在韩国上市的股票收跌10%,三星电子下跌7.4%。其他存储相关个股,包括闪迪、希捷和西部数据,也均走低。

长鑫存储凭借7月的首次公开募股进入全球视野。该公司在上海科创板上市首日大涨近466%,当时成为市值最高的中国上市公司。此后其股价较IPO当日每股49元的价格回落4%,但公司市值仍维持在3.46万亿元人民币(约5200亿美元),与科技巨头腾讯的3.87万亿元相差不远。长鑫存储总部位于合肥,2016年成立,上市距其创立约十年。

IPO之后,长鑫存储面临的最大问题之一,是能否缩小与美光、三星和SK海力士之间的能力差距,尤其是在AI芯片系统的关键组件——高带宽内存方面。尽管庞大的国内需求为长鑫存储提供支撑,但它在获取芯片制造设备上仍面临挑战,这些设备已被美国的出口管制有效挡在中国之外,其中包括ASML制造最先进半导体所需的极紫外(EUV)光刻机。

据报道,长鑫存储计划在2026年底前推出基于新单元架构的服务器内存产品。新设计基于“4F平方”技术,可实现更高的存储密度。SK海力士也在推进4F平方设计,并于2025年公布了开发该技术的路线图。分析师通常认为长鑫存储在存储技术前沿落后于全球竞争对手,因此任何突破性消息都可能显著影响投资者对全球竞争对手市场优势的看法。

尽管面临出口管制相关挑战,长鑫存储仍取得了显著的市场份额增长。根据汇丰银行上周四的一份报告,其在全球动态随机存取存储器(DRAM)市场的份额已升至约10%,高于一年前的约4%。花旗分析师在8月的一份报告中表示,虽然美国政府不太可能允许中国制造的存储产品销往美国,但销往欧洲等其他地区数据中心的销售可能间接影响美光。据《金融时报》7月援引知情人士报道,苹果已开始测试长鑫存储的DRAM芯片,用于在中国境内销售的设备,并一直在游说美国政府允许更广泛地使用该公司产品。苹果方面被寻求置评。

为什么重要长鑫存储是中国存储芯片龙头,其技术进展与约10%的全球DRAM份额,牵动美光、三星、SK海力士等存储大厂的竞争格局与投资者预期。

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