三星、SK海力士、美光在美遭集体诉讼,被控操纵DRAM价格
三星、SK海力士与美光在美国加州联邦法院遭遇集体诉讼,原告指控三家公司以向AI高带宽内存(HBM)转型为掩护,协同削减传统DRAM产能,导致相关价格在过去四年暴涨约700%。诉状将苹果iPad和Mac提价列为直接损害案例,并援引三星与SK海力士2000年代的价格操纵认罪记录,试图证明其存在长期串谋行为。Jefferies预计内存高价将持续至2028年,下游成本压力短期内难以缓解。
三星、SK海力士与美光这三家掌控全球DRAM市场的芯片巨头,于上周在美国联邦法院遭遇集体诉讼。诉讼于6月25日在加州联邦法院提起,原告方代表在近期价格上涨周期内购买含商用DRAM产品的消费者及企业。诉状指控三家公司借向人工智能高带宽内存(HBM)战略转型之名,协同压缩传统DRAM产能,致使相关价格在过去四年内暴涨约700%。
诉状将苹果公司近期对iPad和Mac产品线的全面提价援引为直接损害案例,视其为提起诉讼的直接导火索。原告方指控三家公司协同削减DDR3、DDR4等传统内存产能,人为制造供给短缺与价格暴涨。诉状明确援引了三星与SK海力士在2000年代就美国司法部刑事价格操纵指控认罪的历史记录,当时两家公司合计缴纳7.31亿美元罚款,多名高管被判处监禁。原告方试图以此确立三家公司长期串谋的行为模式,为当前指控提供更强的法律依据。
对于内存价格前景,Jefferies预计,2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%,第四季度继续环比上行30%至40%,2027年全年价格同比仍将增长40%至45%,最早要到2028年方可能出现较为明显的放缓。包括联想在内的多家企业已公开表示,内存高价将成为“新常态”。这意味着下游企业与终端消费者面临的成本压力将延续相当长时间,消费电子、服务器及企业IT采购的成本结构均面临持续重构压力。
为什么重要全球三大DRAM巨头遭价格操纵指控,涉及AI转型关键环节HBM,诉讼结果可能影响内存供应链格局与成本。