科技 地緣 宏觀韓國公佈國家產業戰略，三星與SK海力士擬投4755萬億韓元擴產AI芯片

韓國總統李在明週一公佈一項總投資規模超過5760億美元的國家產業戰略，圍繞半導體、人工智能和數據中心三大領域展開。他在青瓦臺舉行的“Korea Great Leap 3大型國家項目報告會”上表示，這是一場圍繞“半導體、物理AI和數據中心”的“偉大飛躍”，韓國必須比任何國家更快掌握AI的核心要素。該戰略目標是在鞏固韓國全球芯片競爭力的同時，推動先進製造業向首都圈以外地區佈局，實現區域均衡發展。

作為計劃核心，三星電子和SK海力士分別公佈總額2655萬億韓元和2100萬億韓元的韓國國內長期投資方案，重點覆蓋半導體制造、HBM、高性能封裝以及全國AI數據中心建設。據韓國產業部長金正寬介紹，兩家企業將聯合供應鏈企業投資800萬億韓元，在韓國西南地區分別建設兩座新的芯片製造基地；忠清地區還將新增一個投資81萬億韓元的芯片封裝集群。

三星電子的投資計劃中，首都圈半導體集群將投入2030萬億韓元，非首都圈投入625萬億韓元。其中，湖南地區獲得425萬億韓元投資，光州將建設新一代晶圓廠，僅該項目投資就達400萬億韓元，並同步建設數字孿生智能家電工廠。三星SDS將在全羅南道海南建設AI數據中心，三星電子還將在全羅北道高敞建設物流中心。忠清地區將投資140萬億韓元，包括在天安和溫陽建設HBM晶圓廠，以及三星顯示在牙山建設下一代顯示生產基地。嶺南地區則將佈局人形機器人生產線、AI數據中心以及全固態電池和儲能系統項目。

SK海力士計劃投資約1100萬億韓元，打造連接龍仁、清州和西南地區的AI存儲產業帶。龍仁半導體集群投資約600萬億韓元，四座原計劃2045年完工的晶圓廠已提前至2033年全部建成。清州將投資約100萬億韓元擴建NAND閃存晶圓廠並提升HBM先進封裝能力，西南地區則計劃投入約400萬億韓元建設下一代半導體生產基地。

與此同時，SK電訊主導的全國AI數據中心項目總規模規劃達到15GW，預計總投資約1000萬億韓元，初期建設5GW，並於2035年前再擴展10GW。SK集團會長崔泰源表示，該項目將推動韓國由“AI消費國”向“AI出口國”轉型。

韓國政府還計劃未來五年將DRAM產量提高一倍，並把首都圈晶圓廠建設時間提前至2030年代中期。李在明表示，光州市和全羅南道還將追加5萬億至20萬億韓元投資，西南地區未來將成為韓國新的芯片製造中心，並充分利用當地充足但尚未充分開發的電力資源。金正寬指出，目前以龍仁和平澤為核心的生產基地已接近承載極限，需要通過西南地區的大規模投資提前形成壓倒性產能。

三星電子會長李在鎔表示，公司已將光州列為新晶圓廠候選地，當地在電力、水資源、人才培養和基礎設施方面具備較好條件。崔泰源則表示，建設先進晶圓廠需要土地、電力、水資源和人才，公司仍需進一步確定最終選址。不過，該計劃也引發政治爭議，反對派人士認為西南芯片中心規劃可能帶有政治色彩，因為該地區在去年總統選舉中約85%的選民支持李在明。面對質疑，李在明通過X平臺發文否認項目存在政治偏向。產業專家認為，將先進製造業向首都圈以外擴展有助於緩解基礎設施壓力，但先進晶圓廠仍高度依賴完善的電力、水資源、物流體系、供應鏈網絡和高技能人才，新產業集群短期內仍需較長時間培育。