氮化鋁成高功率光模塊關鍵材料，日本掌控75%供應
隨著AI基礎設施對散熱要求急劇提升，氮化鋁（AlN）因其遠超傳統氧化鋁的導熱性能，成為1.6T光模塊等高密度集成封裝中不可替代的散熱基材。該材料導熱率可達170–230 W/(m·K)，且具備優異絕緣性及與硅匹配的熱膨脹係數。當前日本企業壟斷全球約75%的氮化鋁市場份額，其供應集中度引發市場對潛在供應危機的關注。
在高算力芯片與光模塊的迭代中，散熱正成為一道硬性瓶頸。過去在100G、400G光模塊時代，導熱率僅為20–30 W/(m·K)的傳統氧化鋁陶瓷基板尚可應付，但隨著芯片集成度和熱流密度指數級攀升，這一材料已難堪重負。氮化鋁（AlN）憑藉其極高的導熱能力脫穎而出，其理論導熱極限可達320 W/(m·K)，而當前電子級量產產品的導熱率通常穩定在170–230 W/(m·K)之間。
除導熱性外，氮化鋁還兼具優異的絕緣性、低介電損耗，以及與單晶硅極其接近的熱膨脹係數。這些綜合特性使其成為當前高密度集成封裝領域不可替代的散熱基材，應用場景覆蓋高功率光模塊、高端激光器以及IGBT等功率器件。從材料演進的底層邏輯看，電子信息產業的每一次技術迭代，本質上都是在尋求更高傳輸速率與更極限散熱能力之間的平衡。
伴隨AI基礎設施建設的加速，熱耗散問題正從底層倒逼材料體系發生替代。氮化鋁行業的爆發並非短期炒作，而是由這一硬性缺陷驅動的材料替代進程。然而，該材料的全球供應格局高度集中，日本企業掌控了約75%的市場份額，這一壟斷態勢正引發業界對供應鏈脆弱性的擔憂，為1.6T光模塊等下一代產品的規模化部署增添了不確定性。
為什麼重要氮化鋁供應高度集中於日本，其作為AI算力基礎設施關鍵散熱材料的地位，使供應鏈風險成為美股半導體和光模塊領域的重要關注點。
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