科技 个股长鑫存储科创板首日暴涨466% 挑战存储巨头仍面临技术鸿沟

中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）周一在上海科创板上市首日股价飙升近466%，引发市场对北京多年来推动半导体产业自给自足的努力开始见效的乐观情绪。然而分析师指出，投资者热情并非决定其能否挑战全球市场领导者的关键，真正的问题在于能否缩小与三星电子、SK海力士和美光在先进存储芯片领域的技术差距，尤其是在高带宽存储器（HBM）这一支撑人工智能热潮的关键技术上，三巨头已建立显著领先优势。

MST Financial高级分析师David Gibson表示，上市不会改变三大巨头的行业前景，因为需求持续超过供应。他指出，尽管国内需求应继续支撑长鑫存储的存储芯片销售，但公司面临挑战——无法获得最新的极紫外（EUV）光刻机，这是制造先进芯片所必需的设备，而美国主导的出口管制实际上禁止其进入中国市场。没有EUV光刻机，长鑫存储生产同等数量的存储芯片需要比竞争对手多约30%的晶圆，这一劣势难以克服。

Counterpoint Research研究总监MS Hwang表示，长鑫存储的目标是从2026年底开始生产HBM，新的上海工厂将用于生产包括HBM在内的人工智能芯片。他补充说，公司的初始产品可能是HBM3E或HBM3，取决于其能达到的性能，这将使其落后竞争对手一至两代，后者已向HBM4和HBM4E迈进。三星电子在全球DRAM市场占据主导地位，其在周四的第二季度财报电话会议上表示，已扩大HBM4销售，并向主要客户出货了业界首批HBM4E样品。

Gibson指出，长鑫存储确实会生产HBM，因为它是堆叠式DRAM，但良率会较低，因此产量有限，公司仍落后于追求高容量和高速度的竞争对手。良率是半导体行业术语，指制造过程中可用芯片的数量比例，芯片制造商追求最大良率。TrendForce分析师Ellie Wang表示，长鑫存储投入HBM技术研发已有一段时间，但即使没有EUV光刻机，HBM生产在技术上可行，公司仍可能面临与行业领先者相比明显的性能差距。

Gibson还表示，长鑫存储可能会继续获得全球DRAM市场份额，大部分增长预计来自中国客户，包括腾讯、字节跳动、阿里巴巴和国内手机制造商。根据Counterpoint Research数据，三星电子以38%的份额保持全球DRAM市场领先地位，SK海力士以29%紧随其后，美光占22%，而长鑫存储份额为8%。Wang表示，长鑫存储目前向许多中国智能手机品牌供应存储芯片，并逐步扩大在中国PC和服务器市场的存在，但其产品组合仍集中在主流和中端市场，在高容量服务器产品和AI服务器先进存储方面能力相对有限。

Hwang表示，长鑫存储的未来既有看涨理由也有看跌理由。看涨理由是技术追赶，看跌理由是未能克服设备法规和HBM等技术障碍。Wang表示，基于当前开发和生产进展，在AI驱动的存储需求开始正常化之前，长鑫存储大幅缩小差距仍将具有挑战性，公司继续开发新工艺技术和产品以努力缩小差距。长鑫存储股价周五上涨超过5%。