伯恩斯坦：常規DRAM價格2027年或續漲，HBM盈利承壓
伯恩斯坦分析師指出，常規DRAM價格在經歷約4.5倍上漲後，可能在2027年繼續上行，其單位比特平均售價已與高帶寬內存（HBM）相當甚至更高。由於更高的比特密度與良率，今年常規DRAM每晶圓產能收入可能是HBM的兩倍，利潤率也明顯更高。該機構估算，HBM價格需再提升約三倍才能在單位晶圓收入上追趕常規DRAM，但廠商可能不會如此激進提價，以免過高的HBM成本損害人工智能生態系統並反噬存儲需求。
伯恩斯坦分析師在一份最新報告中就存儲芯片市場的盈利格局變化發出警示。報告指出，常規DRAM的價格在經歷自2025年三季度至2026年二季度約4.5倍的大幅上漲後，可能在2027年繼續維持上行態勢。受此推動，目前常規DRAM在單位比特的平均售價上，已經與高帶寬內存（HBM）持平，甚至有可能超越後者。
這一價格趨勢正在重塑兩類產品的盈利能力對比。伯恩斯坦強調，得益於更高的比特密度與良率，今年常規DRAM的每晶圓產能收入可能是HBM的兩倍，並且享有明顯更高的利潤率。該機構進一步估算，HBM的價格需要在此基礎上再提升約三倍，其單位晶圓產能收入才能追趕上常規DRAM的水平。
然而，報告認為存儲芯片製造商可能不會採取如此激進的提價策略。分析師指出，廠商們清楚認識到，若HBM成本過高，將不利於整個人工智能生態系統的健康發展，並最終可能反過來抑制市場對存儲芯片的整體需求。這一判斷點明瞭存儲廠商在追求高附加值產品利潤與維護下游產業需求之間的平衡考量。
為什麼重要該報告揭示了存儲芯片內部兩大產品線（常規DRAM與HBM）的盈利動態變化，對關注三星、SK海力士、美光等存儲巨頭的投資者具有參考意義。
僅供信息參考、不構成投資建議。