伯恩斯坦：常规DRAM价格2027年或续涨，HBM盈利承压
伯恩斯坦分析师指出，常规DRAM价格在经历约4.5倍上涨后，可能在2027年继续上行，其单位比特平均售价已与高带宽内存（HBM）相当甚至更高。由于更高的比特密度与良率，今年常规DRAM每晶圆产能收入可能是HBM的两倍，利润率也明显更高。该机构估算，HBM价格需再提升约三倍才能在单位晶圆收入上追赶常规DRAM，但厂商可能不会如此激进提价，以免过高的HBM成本损害人工智能生态系统并反噬存储需求。
伯恩斯坦分析师在一份最新报告中就存储芯片市场的盈利格局变化发出警示。报告指出，常规DRAM的价格在经历自2025年三季度至2026年二季度约4.5倍的大幅上涨后，可能在2027年继续维持上行态势。受此推动，目前常规DRAM在单位比特的平均售价上，已经与高带宽内存（HBM）持平，甚至有可能超越后者。
这一价格趋势正在重塑两类产品的盈利能力对比。伯恩斯坦强调，得益于更高的比特密度与良率，今年常规DRAM的每晶圆产能收入可能是HBM的两倍，并且享有明显更高的利润率。该机构进一步估算，HBM的价格需要在此基础上再提升约三倍，其单位晶圆产能收入才能追赶上常规DRAM的水平。
然而，报告认为存储芯片制造商可能不会采取如此激进的提价策略。分析师指出，厂商们清楚认识到，若HBM成本过高，将不利于整个人工智能生态系统的健康发展，并最终可能反过来抑制市场对存储芯片的整体需求。这一判断点明了存储厂商在追求高附加值产品利润与维护下游产业需求之间的平衡考量。
为什么重要该报告揭示了存储芯片内部两大产品线（常规DRAM与HBM）的盈利动态变化，对关注三星、SK海力士、美光等存储巨头的投资者具有参考意义。
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