科技 个股美银：三季度DRAM均价环比涨20-30%，云厂商签约接受明年Q1涨价

美银证券分析师Simon Woo发布最新内存行业研报，渠道调研证实2026年三季度DRAM均价环比上涨20-30%、NAND涨幅超过15%，且超大规模云厂商已提前签约锁定2027年一季度更高的DRAM价格。

报告指出，对内存芯片制造商、现货市场分销商及OEM的最新调研证实三季度均价表现强劲，尽管长期协议占比上升，大多数DRAM产品三季度均价仍环比上涨20-30%。分析师称，四季度均价预计至少还有个位数的增长。更值得关注的是，超大规模云厂商已签订新合同，同意在2027年一季度支付高于2026年四季度的DRAM价格，意味着买方已主动接受涨价并将这一预期锁定进合同。

基于持续的内存供应短缺，以及部分OEM和大型科技公司更积极的芯片采购行为，美银上调了此前的价格预测。DRAM方面，2027-2028年均价假设上调8-12%，新预测中2027年均价约为每8Gb当量17.1美元，2028年约16.2美元；NAND方面，2027-2028年均价假设上调2-3%，2027年约10.0美元/256Gb当量，2028年约8.7美元。美银对2026年下半年的预测维持不变。

分析师同时预计，2028年均价将较2027年下跌约10%，其中DRAM下跌5%、NAND下跌13%，并将此解读为2029-2030年新一轮增长前的软着陆阶段，届时将由更先进的AI及采用高端内存的GPU/ASIC驱动。

供给约束被视为价格持续上行的核心逻辑。数据显示，2026年DRAM供需充足率仅约79%，远低于100%的平衡线，直到2027年才逐步回升至接近均衡；NAND情况类似，2026年充足率约80%，2027年才恢复至102%左右。报告指出，尽管内存短缺，PC和智能手机年初至今的减产幅度并不严重，出货量同比仅下降约10%，终端需求尚未大幅崩塌，供需缺口主要源于AI服务器对内存的强劲拉动。

服务器端，尤其是AI服务器对HBM的需求，已占到DRAM总出货量的50%以上。分析师预计，2026年HBM市场规模达774亿美元，同比增长124%，2027年进一步扩张至1528亿美元。

在更长期维度上，美银将2030年全球内存市场（DRAM+NAND）总规模预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元。分析师指出，全球DRAM+NAND销售额此前在2018年云热潮时达到峰值0.17万亿美元，2025年的回升仅产生0.21万亿美元，因此投资者可能质疑2.0万亿美元的预测。

分析师给出五个支撑理由：截至2026年三季度年化运行率已超过1.0万亿美元；2026年ASP或合约价同比上涨3-4倍，而销量增长20%以上；创纪录的ASP可持续，由于全球供应紧张和强劲的AI芯片需求，到2030年降价有限；2026-2030年年度bit增长应保持在高两位数；随着HBM、SOCAMM、eSSD等先进AI解决方案获得份额，结构应改善。

分析师还表示，不预期新GPU/ASIC出现降规或更低内存含量，相反假设进一步增加，Rubin Ultra每颗达1,000GB，新Rubin为384GB，而当前为288GB。其预测2027年至2030年DRAM+NAND合计销售额将以21%的年复合增速增长，届时销售额达1.4万亿美元，而2026年为0.9万亿美元。

此外，美银自建的内存景气指数综合追踪均价、收入、现货价格及出口的同比增长动能。分析师称，该指数7月维持在创纪录的180，而周期中位水平为100，2017-18年的峰值仅为120。美银预计8月至9月的数据仍将保持强劲，韩国半导体出口及中国台湾南亚科技、群联电子的月度销售额同比增幅均超过100%。