长鑫科技第五代DRAM技术平台正式量产
中国动态随机存取存储器制造商长鑫科技9月20日在2026世界制造业大会上宣布，其第五代技术平台正式量产。该平台内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，同等条件下每张晶圆产出较上一代提升50%以上，基于该平台的24GB LPDDR5X产品已进入量产并用于中国国产主流旗舰手机。
中国动态随机存取存储器（DRAM）制造商长鑫科技星期天（9月20日）宣布，第五代技术平台正式量产。这一进展有望增强中国在全球存储晶片市场与三星电子、SK海力士和美光科技竞争的实力。
综合澎湃新闻和路透社报道，长鑫科技是在2026世界制造业大会上宣布上述消息的。据其介绍，该平台将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比达到45:1，核心动能区高度降至6762纳米。
在存储密度方面，长鑫科技称第五代工艺平台较上一代有大幅提升，同等条件下每张晶圆的产出提升50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入中国国产主流旗舰手机。
长鑫科技表示，公司在开发这一平台时利用了计算机模拟技术，并与中国晶片设备制造商在关键生产环节展开合作。
长鑫科技副总裁兼市场中心负责人骆晓东在大会上表示，公司的工艺能力目前已与业界最先进的量产节点相当。
报道指出，这一进展正值北京寻求减少对外国半导体技术依赖之际。自2022年以来，美国实施的出口管制已限制中国获取部分先进晶片制造设备及相关软件。
为什么重要长鑫科技是中国大陆主要的DRAM制造商，其技术平台量产进展关系到全球存储芯片竞争格局与国产半导体设备、手机产业链的自主化程度。
订阅《读懂财经》
每早 8 点一封，昨天国际财经大事一次读完。免费。
仅供信息参考、不构成投资建议。