个股 科技高盛看多存储芯片，海力士美股创新高

高盛对存储芯片板块转为积极，周三存储股全线上涨。SK海力士美股早盘大涨约4%至193.53美元，盘中创历史新高，收盘涨幅扩大至7%，领跑存储板块。美光科技收涨约2%至1027.77美元，闪迪收涨约1.51%至1764.17美元，延续近一个月强势。追踪存储板块的Roundhill Memory ETF收涨约1%至61.65美元，而标普500 ETF同日下跌约0.5%至761.87美元，存储板块对大盘超额表现显著。

高盛在研报中将此次上涨定性为早期投资者重新入场的信号，指出半导体板块波动率在7月触顶后收窄，美光和闪迪在8月维持整理区间，形成早期筹码积累形态。仓位层面，对冲基金在夏季抛售期间已大幅削减存储股敞口，重新建仓空间充裕。高盛认为，当前市场对半导体周期性风险情绪偏谨慎，低配基金面临的“痛苦交易”方向已转向上行。高盛同时提示，存储价格、产能扩张和消费支出可能快速逆转，技术面突破仍需基本面业绩验证。

同日，铠侠CEO Hiroo Ota表示，已指示销售团队不要继续向数据中心客户大幅推涨价格，直言“价格已经涨得够多了”，警告行业若过度追涨可能损害自身增长。据彭博数据，铠侠NAND平均价格在截至6月的季度环比上涨70%。Ota还排除了与SK海力士进行制造层面合并的可能性，理由是反垄断障碍及铠侠与闪迪共同持有的生产设施。

尽管存在定价隐忧，近期业绩指引仍提供基本面支撑。美光在最新季度指引中，将2026财年第四季度营收中值设定为500亿美元，创历史纪录，非GAAP每股收益指引为31美元，毛利率指引为86%。管理层表示，DRAM和NAND供需紧张可能延续至2027年之后。闪迪在8月业绩电话会上，将2027财年第一季度营收指引区间设定为103亿至108亿美元，并预计2026年NAND市场规模将超过3000亿美元，较上年增长约3倍。CEO David Goeckeler表示，客户需求增速快于供给，订单预计在2027年之后继续处于配给状态。

SK海力士作为AI加速器高带宽内存（HBM）主导供应商，于8月下旬在美国印第安纳州举行HBM生产基地奠基仪式，强化在美产能布局。分析人士认为，未来数周任何有关HBM的表态都可能强化板块叙事。投资者需关注美光9月30日的业绩更新，以确认HBM产能爬坡和定价持续性是否符合预期。鉴于存储行业周期性特征，交易者应合理控制仓位，警惕业绩发布前后的剧烈波动。